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NTD3817N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
1000
10
900
800
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
8
Q T
700
600
6
V GS
500
400
C oss
4
Q 1
Q 2
300
200
100
C rss
2
I D = 15 A
T J = 25 ° C
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12 13 14
1000
DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
V DD = 12 V
14
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate-To-Source and Drain-To-Source
Voltage vs. Total Charge
V GS = 0 V
100
I D = 15 A
V GS = 10 V
t r
12
10
8
T J = 25 ° C
10
t d(off)
t f
t d(on)
6
4
2
1
1
10
100
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1000
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
15
12.5
V SD , SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
I D = 10 A
100
10 m s
10
10
1
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
100 m s
1 ms
10 ms
dc
7.5
5.0
2.5
PACKAGE LIMIT
0.1
0.1
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
175
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
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